芯片被誉为现代工业的“粮食”，但在小小的芯片背后，是周密的设计、复杂的流程和精密的工艺。2017年，国内首颗自主研发的32层三维闪存芯片问世，那么，你知道第一颗3D NAND闪存芯片是在哪里问世的吗？它又是怎样推动中国芯片市场的发展呢？今天党史里的湖北之最带你来了解一下首颗3D NAND闪存芯片。

首颗3D NAND闪存芯片问世

长江存储科技有限责任公司（“长江存储”）于2016年7月在中国武汉成立，这是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。 长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。 长江存储在武汉、上海、北京等地设有研发中心，通过不懈努力和技术创新，致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商， 为大国造 “芯”，正是长江存储的使命。

图为：长江储存基地

在成立之后，公司一直进展顺利，2017年，长江存储在全资子公司武汉新芯12英寸集成电路制造工厂的基础上，通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计并制造了中国首批32层3D NAND闪存芯片。

图为：中国首颗自主研发32层三维闪存芯片

全球首款128层QLC闪存在汉发布

长江存储坚守为大国造 “芯”的使命，2020年4月13日，长江存储最新128层QLC 3D NAND闪存，宣布在武汉光谷研发成功，QLC是继32层三维闪存芯片后3D NAND新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，并且，这是全球首款128层QLC闪存。

“这款产品已经达到全球主流产品的位置，表明中国芯片产品在国际市场已由跟跑进入并跑时期。”华中科技大学计算机学院院长、信息存储系统教育部重点实验室副主任冯丹教授表示，虽然国外现在最新的256层都有了，但128层依然是世界主流产品，能够跻身国际主流芯片存储产品的位置，对于中国而言意义重大。

冯丹表示，制造存储芯片如同做楼房，别人的楼房已经很高了，房间的密度也很大，而中国的楼房不仅矮，而且密度也小；过去这方面与国外差距较大，国外已做出64层，我们还在做32层。现在128层QLC芯片作为主流产品已经跟国外一样了，达到了国际水平，意义重大。

图为：长江存储X2-6070 128L QLC 闪存芯片

过去，人们用到的存储芯片是平面的，相当于地面停车场，而三维闪存芯片是立体的，就像是立体停车场。同样的“占地面积”之下，立体芯片能够容纳更多倍数据量。而先于业界发布的128层闪存芯片“X2-6070”，拥有业界最高的存储密度、传输速度和单颗闪存芯片容量，拥有128层三维堆栈，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量。

如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”，一颗长江存储128层QLC芯片，相当于提供3665亿个房间，每个房间住4“人”，共可容纳约14660亿“人”居住，是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。据业界分析，QLC芯片，更适合作为大容量存储介质，更适用于AI计算、机器学习、实时分析和大数据中的读取密集型应用。

从32层到128层！！芯片3年实现技术跨越

2017年，国内首颗自主研发的32层三维闪存芯片问世，2018年底，长江存储第一代32层三维闪存芯片量产，2019年9月，首次基于Xtacking架构的64层三维闪存芯片量产，2020年128层QLC 3D NAND成功问世。长江存储首席执行官杨士宁表示，作为闪存行业的新进入者，长江存储用短短3年时间，将中国的三维存储芯片推向了128层高度。“这是数千名研发人员汗水的凝聚，也是全产业上下游通力协作的成果”。

随着5G、人工智能和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长，未来，长江存储仍将持续投入研发资源，扩大生产能力，以通过创新的技术和可靠的质量，提高市场竞争力，更好地满足客户需求，为全球存储器市场健康发展注入新动能。

（来源综合：武汉市人民政府门户网站、长江储存科技有限公司网站   实习编辑 曹梦欣）