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湖北武汉将成芯片基地

长江云APP   2015-07-12 09:49     

国产内存产业落户湖北省 省会 武汉市,确定武汉新芯统筹中国DRAM产业发展,将汇集DRAM(内存芯片)、3D NAND FLASH(3D NAND闪存)、NOR FLASH(NOR闪存)等三大技术成为中国重要存储芯片基地。那么国产内存最快多久面世?

答案是3-5年,中国有市场话语权,可以通过市场换技术,有政府的基金、产业扶持,设备方面不成问题,加上有二十余年的技术和人才储备,可以说武汉新芯将会打造成存储行业的京东方。

中国无锡海力士DRAM 晶圆工厂

要说劣势,不是没有,美日等国对中国的技术和设备封锁。所以我们需要在市场换技术上多做文章。三星在西安投产最先进的3D闪存,海力士也早在无锡设厂生产内存和NAND芯片。中国每年需要进口大量的存储芯片,中国需要生产国产技术的存储芯片,调整产业结构,同时也有利于存储芯片在价格上大起大落,避免价格同盟的垄断局面出现。

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